Modeling the Charge State of Monatomic Hydrogen and Other Defects with Arbitrary Concentrations in Crystalline Silicon
نویسندگان
چکیده
A rigorous physical‐mathematical model for predicting the charge states of both mono‐ and multivalent defects with arbitrary concentrations in Si thermal equilibrium non‐equilibrium steady‐state conditions is presented. The avoids assumption that defect concentration much lower than doping level, which common previous approaches. It shown general occupancy ratio given by α = ( kn 1 + p )/( ) still valid under these more conditions. However, caution needs to be taken when calculating excess carrier densities presence larger concentrations, because of: a) non‐negligible contribution n 0 from ionisation, b) unequal Δ caused change occupied at level non‐equilibrium. Modeled examples monatomic H interstitial Fe are effects concentration, temperature, injection discussed.
منابع مشابه
A unified approach to modelling the charge state of monatomic hydrogen and other defects in crystalline silicon
متن کامل
Arbitrary Defects; Modeling and Applications Arbitrary Defects; Modeling and Applications
OF THE THESIS Arbitrary Defects; Modeling and Applications by Ankur Jain Thesis Director: Dr. Michael Hsiao Grading the true quality of a test set for arbitrary defects, improvement of accuracy of error and fault diagnosis, Boolean comparison for design veri cation in the presence of unknown or uninterpreted functions and automatic test pattern generation (ATPG) for intellectual property (IP) b...
متن کاملthe relationship of wtc with communication apprehension and self-perceived communication competene in english and persian context
بیشتر تحقیقات پیشین در زمینه تمایل به برقراری ارتباط به رابطه آن با عوامل فردی چون سن، جنس، نوع شخصیت و... صورت گرفته است. در صورتی که مطالعات کمتری به بررسی رابطه تمایل به برقراری ارتباط زبان آموزان فارسی زبان با ترس از برقراری ارتباط و توانش خود ادراکانه آنها در برقراری ارتباط در محیط فارسی و انگلیسی انجام شده است. بر اساس نظریه الیس (2008) تمایل به برقراری ارتباط جایگاه مهمی در زمینه آموزش م...
15 صفحه اولthe study of aaag repeat polymorphism in promoter of errg gene and its association with the risk of breast cancer in isfahan region
چکیده: سرطان پستان دومین عامل مرگ مرتبط با سرطان در خانم ها است. از آنجا که سرطان پستان یک تومور وابسته به هورمون است، می تواند توسط وضعیت هورمون های استروئیدی شامل استروژن و پروژسترون تنظیم شود. استروژن نقش مهمی در توسعه و پیشرفت سرطان پستان ایفا می کند و تاثیر خود را روی بیان ژن های هدف از طریق گیرنده های استروژن اعمال می کند. اما گروه دیگری از گیرنده های هسته ای به نام گیرنده های مرتبط به ا...
15 صفحه اولThe Interaction of Hydrogen with Deep Level Defects in Silicon
6 Self-interstitial–hydrogen complexes in silicon and germanium . . . . . . . . 21 6.1 Experimental work on IH2 defects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 6.2 The silicon self-interstitial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22 6.3 Interstitial complexes with one hydrogen atom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 6.4 Di-hydrogenated split intersti...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physica Status Solidi (rrl)
سال: 2021
ISSN: ['1862-6254', '1862-6270']
DOI: https://doi.org/10.1002/pssr.202100483